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第三百八十五章 技术难题

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但听声音,应该是三十多岁。

“哦,是方教授啊!”张主任视线落在那位研究员身上,笑呵呵的为顾律介绍道,“这位是我们半导体的研究中心的方庆教授,主要负责半导体掺杂调控这一部分的研究内容。”

“方教授,给你介绍一下,这位是隔壁数学院的顾律顾教授。”

“你好你好!”

“久仰久仰!”

两人简单的握了个手。

“方教授,你过来找我有什么事吗?”张主任笑呵呵的开口问道。

“哦。”方教授把手中的文件夹递给张主任,沉声开口,“张主任,最新一次的测量结果出来了。”

张主任结果文件夹,打开后扫了一眼,眉头紧紧皱起,“还是不行吗?”

方教授苦笑着摇摇头,“还是不行,我们还是没有找到证据证明,C杂质在GaN中的晶格位置。”

“唉!”张主任听后长叹口气,“这么久的努力,原来都是做了无用功啊!”

顾律在一旁看着长吁短叹的两人,犹豫了一下开口问道,“张主任,你们是遇到了什么难题了吗?”

张主任没有隐瞒。

“准确的说,不是我们研究所遇到了什么难题,而是整个宽禁带半导体领域都遇到了一个难题。”

张主任开始为顾律讲述起这个难题的详细情况。

在目前的半导体领域,掺杂调控是氮化物半导体材料和器件发展的关键科学和技术问题。

通过C掺杂获得半绝缘GaN是当前研制GaN基电子器件的主流方法。

但作为IV族元素,C杂质在GaN中具有两性特征,既可替代N原子,也可替代Ga原子,或者与其他杂质和缺陷形成复合体,使GaN中C的掺杂机理非常复杂,成为近年来氮化物半导体电子材料和器件领域关注的焦点问题之一。

所以说,确定C杂质在GaN中的晶格位置是一个相当亟待解决的难题。

燕大的半导体研究中心作为GaN宽禁带半导体领域国内知名研究机构之一,理所当然的向该难题发起了冲击。

但结果……

就如同刚刚顾律所见到的那样,测量结果失败,该技术难题依旧存在。

让张主任和负责这部分的方教授唉声叹气。

顾律听后,摸着下巴,一直沉默不语,在沉思着什么。

足足几十秒后。

顾律视线直视着张主任,苦笑一下开口,“张主任,要是我说,这个难题我可以解决,你相信吗?”

张主任很显然的懵逼了一下。

因为顾律的这句话明显不在张主任的意料之中。

或者说……

张主任没想过这句话会从顾律口中说出来。

张主任足足愣了有十几秒,才狠狠咽口唾沫,开口问道,“顾律,你是说真的,你真的有办法?”

“五成把握吧。”顾律没有打一个十足的包票。

因为他也不确定那个办法,是否可以适用于宽禁带半导体领域。

五成把握!

这个数字在张主任看来已经很高了。

是值得一试的。

只不过,从顾律这样一个数学家口中说出这句话,总是有一种不靠谱的感觉。

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